MENU
Untuk Anda
Kanal
About Us
JAKARTA – Samsung memperkenalkan chip memori RAM LPDDR6 baru yang dibangun di atas proses 12 nm Samsung Foundry. Memori ini mampu mencapai kecepatan hingga 10,7 Gbps yang di atas kertas setara dengan throughput puncak modul LPDDR5X tercepat saat ini.
Namun, LPDDR6 ini bukan hanya tentang kecepatan murni, tetapi juga mengenai berbagai peningkatan lainnya, termasuk pada efisiensi daya. Samsung meningkatkan jumlah I/O, yang meningkatkan bandwidth keseluruhan, dan menambahkan sistem manajemen daya dinamis baru yang dilaporkan memangkas konsumsi daya sekitar 21% dibandingkan LPDDR5X.
Secara umum, LPDDR6 memberikan performa terbaik yang serupa, dengan efisiensi yang jauh lebih baik dibandingkan LPDDR5X yang digunakan saat ini.
Dilansir Gizmochina, Samsung juga mengklaim peningkatan di sisi keamanan, dengan perlindungan ekstra yang dirancang untuk menjaga keamanan data selama pemrosesan AI di perangkat—sesuatu yang semakin diandalkan ponsel dan laptop setiap tahunnya.
Dengan pergeseran perangkat seluler kelas atas menjadi mesin komputasi tepi (edge computing), menjalankan model yang lebih besar secara lokal alih-alih bergantung pada cloud, LPDDR6 dapat mendukung pergeseran tersebut dengan pemuatan yang lebih cepat untuk model AI dan multitasking yang lebih andal di bawah beban kerja berat.
Peningkatan efisiensi ini sangat penting. Penurunan penggunaan daya sebesar 21% berarti ponsel dapat menangani sesi AI yang lebih lama dan lebih berat tanpa menguras baterai dengan cepat.
LPDDR6 bukanlah pengumuman yang paling mencolok, tetapi merupakan pengumuman yang mendasar. Ini menjadi landasan bagi performa ponsel generasi berikutnya.
Beberapa ponsel flagship Ultra, seperti OPPO Find X9 Ultra, Xiaomi 17 Ultra, Vivo X300 Ultra, hingga Samsung Galaxy S26 Ultra, dilaporkan sedang diuji dengan teknologi LPDDR6 baru ini. Namun, beberapa penerusnya kemungkinan akan mengadopsi RAM yang lebih cepat untuk membantu membedakan diri dan meningkatkan pengalaman pengguna lebih jauh.
(Rahman Asmardika)